ATN3580 系列衰減器芯片在高電阻率硅芯片上集成了薄膜電阻器，以實現衰減、緊密平坦度和高達 40 GHz 的回波損耗。該設計采用平衡 TEE 電阻結構，以確保寬帶寬性能。與傳統的厚膜印刷衰減器相比，薄膜技術提供了改進的功率處理能力。所有 ATN3580 衰減器芯片都指定了它們在 DC 下的衰減。此外，晶圓探針樣品測試進行到 40 GHz，以確保滿足平坦度規范。

• 對 40 GHz 的指定平坦響應
• 回波損耗 > 16 dB 至 40 GHz
• 提供 1–10、12、15、20、30 和 40 dB
• 功率處理至 1 W CW
• 堅固的薄膜硅芯片
• 無鉛 (Pb)、符合 RoHS 標準和 Green

• 標稱衰減 (dB):40
• 衰減容差@DC (dB):±1.60
• 衰減平坦度_ 0.1-12 GHz (dB):1.0
• 衰減平坦度_ 0.1-26.5 GHz (dB):2.0
• 衰減平坦度_ 0.1-40 GHz (dB):4.0
• 回波損耗_ 0.1-12 GHz (dB):23
• 回波損耗_ 0.1-26.5 GHz (dB):18
• 回波損耗_ 0.1-40 GHz (dB):15